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电子元器件详细资料 » IC[21620] » IPB180N04S4-H0
型号:IPB180N04S4-H0类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB描述:MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
系列OptiMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)40V
电流_连续漏极(Id)0a025000C180A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C1.1 毫欧 @ 100A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 180µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs225nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds17940pF @ 25V
功率_最大250W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商设备封装PG-TO263-7-3
包装带卷 (TR)

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市俊晖半导体有限公司李先生【原装正品,可开发票】13410941925
深圳信泰电子器材有限公司廖先生0755-83242658
深圳市高胜电子经营部赵先生86-755-83258123
深圳市鑫晟源电子科技有限公司赖0755-83538837
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